ETCHING và những điều cần lưu ý

Etching bề mặt răng để sửa soạn trước khi dán (trám) là một quy trình quan trọng trong thực hành nha khoa. Những điểm khác biệt trong kỹ thuật etching, bề mặt răng cần etch, loại etching bạn chọn là một số điều bạn cần biết trước khi tiến hành tạo cơ chế vi lưu cơ học này cho quá trình dán (trám).

ETCHING MEN RĂNG VÀ ETCHING NGÀ RĂNG

Men răng được cấu trúc từ các tinh thể hydroxyapatite, khác với ngà răng được cấu tạo từ hydroxyapatite và mạng lưới sợi collagen. Men răng có lực liên phân tử mạnh và bề mặt có năng lượng cao. Trong khi đó, ngà răng có lực liên phân tử yếu và bề mặt có mức năng lượng thấp nên yêu cầu etching hai bề mặt này khác nhau mới có thể đạt hiệu quả.

Hơn nữa, thành phần của ngà răng thay đổi theo độ sâu, từ bề mặt đến lớp ngà sâu hơn bên dưới. Khác với men răng, trên bề mặt ngà răng có lớp mùn ngà, chứa thành phần hữu cơ và dịch ngà từ tủy răng hướng ra. Mật độ ống ngà tăng lên khi đi sâu vào lớp ngà, đồng thời thành phần nước cũng nhiều hơn. Khả năng xâm nhập của keo dán vào bên trong các ống ngà để tạo ra liên kết dán vật liệu phục hồi. Khi ngà răng bị sâu, ngà có khuynh hướng khoáng hóa và giảm tính thẩm thấu. Ngoài ra, ngà răng cũng dày lên và giảm tính thẩm thấu khi tuổi tác tăng lên, thậm chí khi ngà răng khỏe mạnh.

Vì hai loại cấu trúc mô cứng này của răng khác nhau nên etching trên men răng và ngà răng có nhiệm vụ khác nhau và bề mặt cần dán sẽ quyết định quy trình etching khác nhau. Khi etching men răng, bạn sẽ tạo ra bề mặt nhám để đạt cơ chế vi lưu cơ học cho lớp keo dán. Trong trường hợp này, chúng ta cần hoạt chất đủ tính acid để hòa tan một phần thành phần khoáng chất của men răng. Acid phosphoric đủ khả năng etching men răng. Một số loại keo dán/primer self-etch cũng có thể tạo kết cấu bề mặt trên men răng. Tuy nhiên, một vài loại keo dán adhesive không đủ tính acid để etching trên men răng. Khi đó, cần sử dụng acid phosphoric để etching riêng trên men răng trước.

Quá trình etching trên ngà răng thì acid phosphoric có tác dụng khử khoáng một phần và bộc lộ collagen. Khi đó, keo dán có thể xâm nhập vào mạng lưới collagen bộc lộ và hình thành lớp lai. Lớp lai này có thể dày vài micron và cho phép hình thành liên kết chắc chắn với ngà răng. Các loại keo dán self-etch cũng có thể khử khoáng một phần khoáng chất trên ngà răng, tuy nhiên, không đạt được mức độ như acid phosphoric và không loại bỏ lớp mùn ngà. Keo dán universal cũng chính là một dòng keo dán self-etch. Các loại monomer trong keo dán universal có khả năng kết nối với Calcium trong thành phần của ngà răng, cho nên mặc dù lớp lai có độ dày thấp hơn so với khi etching bằng acid phosphoric, vào khoảng 0,5 micron, nên keo dán universal có thể tạo thành cơ chế lưu hóa học với thành phần khoáng chất trong ngà răng.

Một khía cạnh cần cân nhắc khi etching trên ngà răng là etching quá mức. Khi quá nhiều collagen bị bộc lộ thì keo dán lại không thể thấm hoàn toàn vào collagen. Collagen bộc lộ có thể bị thủy phân hoặc phân hủy bởi enzyme. Đồng thời, etching quá mức có nguy cơ dẫn đến nhạy cảm ngà sau khi thực hiện. Do đó, etching tự giới hạn sẽ có lợi hơn vì hạn chế được tình trạng etching quá mức này.

SỰ KHÁC NHAU GIỮA CÁC KỸ THUẬT ETCHING

  1. Total-etch: trong kỹ thuật này, etching gel được áp dụng trên toàn bộ bề mặt răng sửa soạn, gồm cả men răng và ngà răng. Ưu điểm của phương pháp này đảm bảo việc tạo cơ chế lưu cơ học trên toàn bộ bề mặt răng. Nhược điểm là cần đảm bảo thời gian etching riêng biệt trên men răng và ngà răng khác nhau để đạt được độ bền dán tối ưu. Ngoài ra, vấn đề khi etching trên ngà răng nếu xảy ra có thể là bệnh nhân sẽ bị nhạy cảm sau khi thực hiện thủ thuật (trám hoặc gắn răng).
  2. Self-etch: kỹ thuật này bao gồm việc sử dụng sản phẩm một bước, gồm etchant và keo dán, bao gồm primer cho lớp ngà răng. Ưu điểm là tiết kiệm thời gian và có thể tiên lượng được trước kết quả etching trên ngà răng. Tuy nhiên, nhược điểm là ít hiệu quả etching trên men răng.
  3. Selective-etch: theo kỹ thuật này, etching gel chỉ được sử dụng trên men răng; còn ngà răng được bít kín thay vì etching. Ưu điểm là giảm nguy cơ nhạy cảm ngà răng sau khi thực hiện. Nhược điểm là nó có thể không etching đủ một số bề mặt men răng để tạo được độ bền dán. Do đó, khi thực hiện kỹ thuật selective-etch, cần xác định rõ cấu trúc men răng và ngà răng, để có thể thực hiện etching đủ trên men răng và loại etching sử dụng có độ nhớt cao, ổn định vị trí để không chảy lan vào ngà răng. Kỹ thuật selective-etch là sự lựa chọn phù hợp cho bề mặt làm việc gồm cả men răng và ngà răng.

Hệ thống dán universal, còn được gọi là keo dán đa năng và sử dụng phương pháp 1 chai cho các bề mặt cần dán khác nhau. Các thế hệ keo dán universal mới nhất được tích hợp các loại monomer khác để đơn giản hóa việc etching trên ngà răng. Một ví dụ là Methacryloyloxydecyl Dihydrogen Phosphate (MDP), là một monomer ưa nước với đặc tính acid nhẹ. MDP cho phép keo dán universal sử dụng được với bất kỳ kỹ thuật etching nào. Những hệ thống dán mới này giảm vi kẽ, tăng khả năng xâm nhập của resin vào các trũng rãnh, làm giảm hoặc loại bỏ nhạy cảm sau thủ thuật.

Cuối cùng, theo the Compendium of Continuing Education in Dentistry, việc chọn lựa kỹ thuật etching cũng tùy thuộc vào thói quen của nhà lâm sàng. Tuy nhiên, tác giả cũng đề xuất áp dụng kỹ thuật total-etch cho phục hình gián tiếp có bề mặt dán chủ yếu là men răng; và kỹ thuật self-etch phù hợp cho các phục hồi trực tiếp bằng composite, khi bề mặt răng được sửa soạn chủ yếu là ngà răng. Nói cách khác, có những trường hợp total-etch có hiệu quả hơn kỹ thuật self-etch và ngược lại. Đối với các bề mặt dán bao gồm cả men răng và ngà răng, và men răng vẫn chiếm tỉ lệ lớn thì kỹ thuật selective-etch cũng có hiệu quả trong việc tăng độ bền dán. Tuy nhiên, các tài liệu gần đây cho thấy kỹ thuật self-etch với keo dán có thành phần monomer cải tiến tạo được liên kết hóa học với lớp ngà răng hiện đang cho thấy là một hướng đi đúng trong việc dán trên ngà./.

Nguồn: https://www.dentalproductsreport.com/view/etching-what-s-the-difference-and-why-you-should-know

Trả lời

Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *